Bonjour,
J’ai besoin de connaître la température de fusion d’un matériau dans lequel sont présentes beaucoup d’impuretés. Voici quelques détails :
- Le matériau est un oxide, qui peut dévier de sa stoichiometrie. Il y a donc des atomes d’oxygène disponibles.
- Tous les élèments (sauf ceux du matériau de base) ont une concentration inférieure à 1 at%.
- Certains de ces élements forment des inclusions métalliques, ou des oxides. Si celles-ci fondent avant le matériau de base, peu importe. Je ne considère donc pas ces élèments.
- J’ai les diagrammes de phase binaires de (presque) tous les élèments qui vont être en solution solide.
- Je connais évidemment la température de fusion de matériau de base.
- La concentration des élèments change dans le temps.
Ma première approche a été de combiner les effets de tous les élèments comme si ils étaient dans un système binaire. C’est à dire que si rajouter du cuivre change la température de fusion selon $T_f(x_{Cu})=f(x_{Cu})T_f^*$, alors l’effet de plusieurs élèments est pris en compte de cette manière.
où $x_X$ est la concentration en élèment X et $T_f^*$ est la température de fusion sans impurités. Les élèments dans l’équation ont été choisis au hasard ; Ti formeraient probablement un oxide, mais ce n’est pas la question.
Je sais très bien que cette approche n’est pas correcte, elle ne prend pas en compte de nombreuses choses, dont les effets entropiques. Mais j’ai quelques questions
- Devrais-je combiner les effets, ou juste prendre la température de fusion minimale prédite par chaque diagramme binaire ?
- Existe-t-il un moyen théorique d’avoir la réponse ? Si oui, lequel ?
Merci !