En fait l’importance de la température dépend surtout de ce que tu veux faire.
D’un coté comme dit par Society l’agitation thermique de-organise la structure de bande des semi conducteur jonction, les rendant moins conducteur.
D’un autre coté lorsque le gap est faible (faible par apport à la température, si j’ose…) l’agitation thermique peut faire naturellement passer des électrons dans la bande de valence ce qui peut avoir des conséquences nuisible.
Par exemple pour des diodes ou transistor, un changement de température dans une gamme usuelle n’a pas grande importance. En effet ces composants utilisent le fait que le semi conducteur à un comportement dual. C’est a dire qu’en fonction de la polarisation qu’on lui applique il n’a pas le même comportement :
- Diode : le courant ne passe que dans un sens, dans l’autre il a un tension seuil en dessous de la quelle le courant ne passe pas.
- Transistor : le transistor laisse passer le courant uniquement si on applique une tension au semi-conducteur (autrement dit : on fournis assez d’énergie aux électron de la bande de valence pour aller dans la bande de conduction)
- LED : est une diode particulière. En sens passant les recombinaisons sont radiatives.
Par contre si tu veux utiliser le semi-conducteur comme détecteur, la température peux avoir une influence négative.
Dans ce cas, détecteur CCD (camera, appareille photo) ou détecteur en physique nucléaire, le principe est toujours le même. Une particule incidente, photon, alpha, proton… viens taper le semi-conducteur et y libère son énergie cinétique. Celle-ci est transmise aux électrons, leur permettant de passer dans la bande de conduction, le détecteur étant sous tension ces charges sont collectées, le signal obtenu peut être relié à la quantité d’énergie reçu (pour une détecteur bien réglé, c’est quasi linéaire).
Dans ce cas un refroidissement peut être nécessaire. Exemple en physique nucléaire pour les détecteurs germaniums : comme le gap est de faible énergie et que la densité d’électron est importante, il y a beaucoup d’électrons qui du à l’agitation thermique sont naturellement envoyé dans la zone conductrice, ce qui a pour conséquence de crée un courant continu et cela empêche la détection de particule (quand une particule va crée un petit courant, il va s’ajouter a ce courant continu et va être noyé dans le bruit). Il est donc nécessaire de refroidir le détecteur pour limiter cet effet. Les germanium sont des détecteurs refroidi à l’azote. Par contre pour les détecteur silicium, il n’y a pas ce besoin. Le gap est plus grand et la densité de porteur de charge est plus faible : naturellement moins d’électron transitent vers la bande de conduction.
Le semi-conducteur silicium utilisé pour les capteurs CCD fonction également très bien à température ambiante et pour les usages courant. Mais si la température monte trop il faut s’attendre a avoir une augmentation du bruit sur l’image.
En gros les deux point principaux à retenir sont :
- La température augmente le nombre de transitions spontanée de la bande de valence vers conduction. Donc si on applique une tension au semi conducteur on s’attend à voir un courant de fuite de plus en plus important avec la température
- Dans le cas de jonction NP la température désorganise la structure de bande et le gap augmente, rendant le semi conducteur moins conducteur.
Et comme tu le dis il y a maintenant tellement de semi conducteur différents et spécialisé que c’est devenu assez complexe et la ou il y a 30ans il aurait fallu refroidir, il n’y a plus forcement besoin.